IRFR6215TRLPBF vs IRFR6215TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR6215TRLPBF بذریعہ Infineon اور IRFR6215TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR6215TRLPBF IRFR6215TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -150 V -150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -13 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=-10V 580 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) typ 44 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
Maximum Operating Junction Temperature 175 C —
پیکیج TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation) HEXFET (5th generation IR MOSFET)
MSL لیول 1 MSL1
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (Lead-Free PBF suffix)
Lead-Free Yes —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — -13 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 110 W
On-Resistance (RDS(on) max) — 0.295 ohm at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS max) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — 44 nC
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +175C
REACH Status — Compliant
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں