IRFR6215TRLPBF vs IRFR6215TRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFR6215TRLPBF bằng Infineon và IRFR6215TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFR6215TRLPBF IRFR6215TRLPBF - 150V P-Ch HEXFET MOSFET, 13A, DPAK | Infineon

IRFR6215TRLPBF - 150V P-Ch HEXFET MOSFET, 13A, DPAK | Infineon

IRFR6215TRLPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF - 150V P-Channel HEXFET MOSFET, 13A | Infineon

IRFR6215TRPBF - 150V P-Channel HEXFET MOSFET, 13A | Infineon

IRFR6215TRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFR6215TRLPBF IRFR6215TRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -150 V -150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -13 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=-10V 580 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) typ 44 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
Maximum Operating Junction Temperature 175 C —
Hộp TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation) HEXFET (5th generation IR MOSFET)
Cấp MSL 1 MSL1
Trạng thái RoHS Compliant Compliant (Lead-Free PBF suffix)
Lead-Free Yes —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — -13 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 110 W
On-Resistance (RDS(on) max) — 0.295 ohm at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS max) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — 44 nC
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55C to +175C
REACH Status — Compliant
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá