IRFR6215TRLPBF vs IRFR6215TRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR6215TRLPBF tarafından Infineon ve IRFR6215TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRFR6215TRLPBF | IRFR6215TRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -150 V | -150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | -13 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| RDS(on) max at VGS=-10V | 580 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ | 44 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 110 W | — |
| Maximum Operating Junction Temperature | 175 C | — |
| Paket | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation) | HEXFET (5th generation IR MOSFET) |
| MSL Seviyesi | 1 | MSL1 |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant (Lead-Free PBF suffix) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | -13 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 110 W |
| On-Resistance (RDS(on) max) | — | 0.295 ohm at VGS = -10 V |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 44 nC |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +175C |
| REACH Status | — | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon (formerly International Rectifier) |