IRFS4010TRLPBF vs IRFS7440TRLPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFS4010TRLPBF بواسطة Infineon و IRFS7440TRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFS4010TRLPBF | IRFS7440TRLPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel MOSFET | N-Channel |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 180 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 4.7 mOhm | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | Plus or minus 20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 143 nC | 90 nC (typical) |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 375 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +175C | — |
| العلبة | D2PAK (TO-263AB), surface mount | TO-263 (D2PAK), surface mount |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Drive Voltage | 10 V (normal level, optimized) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (lead-free) |
| مستوى MSL | 1 | — |
| Qualification | JEDEC standard | JEDEC standard |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | StrongIRFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 120 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 208 W |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 2.5 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate Drive Voltage (optimized) | — | 10 V (normal level) |
| Operating Frequency Range (optimized) | — | <100 kHz |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: junction temperature range] |