IRFS4010TRLPBF vs IRFS7440TRLPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFS4010TRLPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFS7440TRLPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRFS4010TRLPBF | IRFS7440TRLPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel MOSFET | N-Channel |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 180 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 4.7 mOhm | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | Plus or minus 20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 143 nC | 90 nC (typical) |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 375 W | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55C to +175C | — |
| প্যাকেজ | D2PAK (TO-263AB), surface mount | TO-263 (D2PAK), surface mount |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Drive Voltage | 10 V (normal level, optimized) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant (lead-free) |
| MSL লেভেল | 1 | — |
| Qualification | JEDEC standard | JEDEC standard |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | StrongIRFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 120 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 208 W |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 2.5 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate Drive Voltage (optimized) | — | 10 V (normal level) |
| Operating Frequency Range (optimized) | — | <100 kHz |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | [DATA_NEEDED: junction temperature range] |