IRL540NSTRLPBF vs IRLR3114ZTRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRL540NSTRLPBF بواسطة Infineon و IRLR3114ZTRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRL540NSTRLPBF IRLR3114ZTRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 36 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 130 A
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 44 mΩ —
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±16 V 16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level 2.5 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) 49.3 nC 40 nC @ VGS=4.5 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 140 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3.8 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +175°C —
العلبة TO-263 (D2PAK) TO-252AA (DPAK) surface mount
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
حالة RoHS Compliant (LPBF suffix indicates lead-free) Compliant
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Technology — HEXFET (IR MOSFET)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) — 42 A
Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) — 30 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.5 mOhm
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V — 4.9 mOhm
Input Capacitance (Ciss) — 3.81 nF
Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) — 140 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +175 C
عدد الدبابيس — 3 (2 + tab)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر