IRL540NSTRLPBF vs IRLR3114ZTRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRL540NSTRLPBF מאת Infineon ו IRLR3114ZTRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRL540NSTRLPBF IRLR3114ZTRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 36 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 130 A
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 44 mΩ —
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±16 V 16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level 2.5 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) 49.3 nC 40 nC @ VGS=4.5 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 140 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3.8 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55°C to +175°C —
מארז TO-263 (D2PAK) TO-252AA (DPAK) surface mount
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
סטטוס RoHS Compliant (LPBF suffix indicates lead-free) Compliant
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Technology — HEXFET (IR MOSFET)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) — 42 A
Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) — 30 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.5 mOhm
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V — 4.9 mOhm
Input Capacitance (Ciss) — 3.81 nF
Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) — 140 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55 C to +175 C
מספר פינים — 3 (2 + tab)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר