IRL540NSTRLPBF vs IRLR3114ZTRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRL540NSTRLPBF द्वारा Infineon और IRLR3114ZTRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF - 100V 36A N-Channel MOSFET | Infineon | D2PAK

IRL540NSTRLPBF - 100V 36A N-Channel MOSFET | Infineon | D2PAK

IRL540NSTRLPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF - 40V, 130A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR3114ZTRPBF - 40V, 130A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR3114ZTRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRL540NSTRLPBF IRLR3114ZTRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 36 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 130 A
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 44 mΩ —
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±16 V 16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level 2.5 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) 49.3 nC 40 nC @ VGS=4.5 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 140 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3.8 W —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55°C to +175°C —
पैकेज TO-263 (D2PAK) TO-252AA (DPAK) surface mount
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
RoHS स्थिति Compliant (LPBF suffix indicates lead-free) Compliant
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL rating] —
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel MOSFET
Technology — HEXFET (IR MOSFET)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) — 42 A
Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) — 30 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.5 mOhm
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V — 4.9 mOhm
Input Capacitance (Ciss) — 3.81 nF
Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) — 140 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55 C to +175 C
पिन की संख्या — 3 (2 + tab)

डेटाशीट और संसाधन

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