IRL540NSTRLPBF vs IRLR3114ZTRPBF 比較

詳細並排比較 IRL540NSTRLPBF 由 Infineon 與 IRLR3114ZTRPBF 由 Infineon. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

規格比較

參數 IRL540NSTRLPBF IRLR3114ZTRPBF
品牌 Infineon Infineon
類別 MOSFETs MOSFETs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 36 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 130 A
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 44 mΩ —
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±16 V 16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level 2.5 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) 49.3 nC 40 nC @ VGS=4.5 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 140 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3.8 W —
工作溫度範圍 -55°C to +175°C —
封裝 TO-263 (D2PAK) TO-252AA (DPAK) surface mount
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
RoHS 狀態 Compliant (LPBF suffix indicates lead-free) Compliant
MSL 等級 [DATA_NEEDED: MSL rating] —
電晶體類型 — N-Channel MOSFET
Technology — HEXFET (IR MOSFET)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) — 42 A
Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) — 30 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.5 mOhm
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V — 4.9 mOhm
Input Capacitance (Ciss) — 3.81 nF
Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) — 140 W
工作接面溫度 — -55 C to +175 C
腳位數 — 3 (2 + tab)

資料表與資源

瀏覽所有產品 建立 BOM 索取報價