IRL540NSTRLPBF vs IRLR3114ZTRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRL540NSTRLPBF توسط Infineon و IRLR3114ZTRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRL540NSTRLPBF IRLR3114ZTRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 36 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 130 A
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 44 mΩ —
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±16 V 16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level 2.5 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) 49.3 nC 40 nC @ VGS=4.5 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 140 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3.8 W —
محدوده دمای کاری -55°C to +175°C —
بسته‌بندی TO-263 (D2PAK) TO-252AA (DPAK) surface mount
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
وضعیت RoHS Compliant (LPBF suffix indicates lead-free) Compliant
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Technology — HEXFET (IR MOSFET)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) — 42 A
Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) — 30 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.5 mOhm
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V — 4.9 mOhm
Input Capacitance (Ciss) — 3.81 nF
Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) — 140 W
دمای اتصال کاری — -55 C to +175 C
تعداد پین‌ها — 3 (2 + tab)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت