IRL540NSTRLPBF vs IRLR3114ZTRPBF Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IRL540NSTRLPBF disebabkan oleh Infineon dan IRLR3114ZTRPBF disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IRL540NSTRLPBF IRLR3114ZTRPBF
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 36 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 130 A
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 44 mΩ —
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±16 V 16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level 2.5 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) 49.3 nC 40 nC @ VGS=4.5 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 140 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3.8 W —
Gambaran Suhu Operasi -55°C to +175°C —
Kemasan TO-263 (D2PAK) TO-252AA (DPAK) surface mount
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Status RoHS Compliant (LPBF suffix indicates lead-free) Compliant
Aras MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Jenis Transistor — N-Channel MOSFET
Technology — HEXFET (IR MOSFET)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) — 42 A
Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) — 30 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.5 mOhm
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V — 4.9 mOhm
Input Capacitance (Ciss) — 3.81 nF
Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) — 140 W
Suhu Hubungan Operasi — -55 C to +175 C
Bilangan Pin — 3 (2 + tab)

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga