IRL540NSTRLPBF vs IRLR3114ZTRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRL540NSTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRLR3114ZTRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRL540NSTRLPBF IRLR3114ZTRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 36 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 130 A
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 44 mΩ —
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±16 V 16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level 2.5 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) 49.3 nC 40 nC @ VGS=4.5 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 140 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3.8 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +175°C —
پیکیج TO-263 (D2PAK) TO-252AA (DPAK) surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
RoHS اسٹیٹس Compliant (LPBF suffix indicates lead-free) Compliant
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Technology — HEXFET (IR MOSFET)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) — 42 A
Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) — 30 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.5 mOhm
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V — 4.9 mOhm
Input Capacitance (Ciss) — 3.81 nF
Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) — 140 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +175 C
پنز کی تعداد — 3 (2 + tab)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں