IRLML0040TRPBF vs IRF8736TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLML0040TRPBF بواسطة Infineon و IRF8736TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRLML0040TRPBF | IRF8736TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 3.6 A | 18 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 14 A | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 56 mOhm | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 2.6 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 1.3 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +150C | — |
| Technology | IR MOSFET / HEXFET | StrongIRFET / HEXFET |
| العلبة | Micro3 (SOT-23) | SO-8 (8-SO, MS-012AA) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification Level | Consumer (per JEDEC JSD47F) | — |
| Moisture Sensitivity Level | MSL1 (per IPC/JEDEC J-STD-020D) | — |
| RoHS Compliance | Compliant (no lead, no bromide, no halogen) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Power Dissipation (PD) Max at TA=25C | — | 2.5 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max | — | 4.8 mOhm at VGS = 10V |
| Gate Charge (Qg) Typical | — | 17 nC |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C (junction) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) |
| مستوى MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Avalanche Rated | — | Yes (fully characterized avalanche voltage) |
| Configuration | — | Single |
| Packaging | — | Tape & Reel (TRPBF suffix) |