IRLML0040TRPBF vs IRF8736TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLML0040TRPBF بذریعہ Infineon اور IRF8736TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRLML0040TRPBF IRLML0040TRPBF - 40V N-Ch MOSFET, 56mOhm, 3.6A | Infineon

IRLML0040TRPBF - 40V N-Ch MOSFET, 56mOhm, 3.6A | Infineon

IRLML0040TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLML0040TRPBF IRF8736TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 3.6 A 18 A
Pulsed Drain Current (IDM) 14 A —
RDS(on) Max at VGS=10V 56 mOhm —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] —
Total Gate Charge (Qg) 2.6 nC —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.3 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +150C —
Technology IR MOSFET / HEXFET StrongIRFET / HEXFET
پیکیج Micro3 (SOT-23) SO-8 (8-SO, MS-012AA)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Qualification Level Consumer (per JEDEC JSD47F) —
Moisture Sensitivity Level MSL1 (per IPC/JEDEC J-STD-020D) —
RoHS Compliance Compliant (no lead, no bromide, no halogen) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Power Dissipation (PD) Max at TA=25C — 2.5 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max — 4.8 mOhm at VGS = 10V
Gate Charge (Qg) Typical — 17 nC
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant)
MSL لیول — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated — Yes (fully characterized avalanche voltage)
Configuration — Single
Packaging — Tape & Reel (TRPBF suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں