IRLML0040TRPBF vs IRF8736TRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLML0040TRPBF द्वारा Infineon और IRF8736TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRLML0040TRPBF IRLML0040TRPBF - 40V N-Ch MOSFET, 56mOhm, 3.6A | Infineon

IRLML0040TRPBF - 40V N-Ch MOSFET, 56mOhm, 3.6A | Infineon

IRLML0040TRPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF - 30V 18A N-Channel StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRF8736TRPBF - 30V 18A N-Channel StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRF8736TRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRLML0040TRPBF IRF8736TRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 3.6 A 18 A
Pulsed Drain Current (IDM) 14 A —
RDS(on) Max at VGS=10V 56 mOhm —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] —
Total Gate Charge (Qg) 2.6 nC —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.3 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55C to +150C —
Technology IR MOSFET / HEXFET StrongIRFET / HEXFET
पैकेज Micro3 (SOT-23) SO-8 (8-SO, MS-012AA)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Qualification Level Consumer (per JEDEC JSD47F) —
Moisture Sensitivity Level MSL1 (per IPC/JEDEC J-STD-020D) —
RoHS Compliance Compliant (no lead, no bromide, no halogen) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Power Dissipation (PD) Max at TA=25C — 2.5 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max — 4.8 mOhm at VGS = 10V
Gate Charge (Qg) Typical — 17 nC
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55C to +150C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant)
MSL स्तर — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated — Yes (fully characterized avalanche voltage)
Configuration — Single
Packaging — Tape & Reel (TRPBF suffix)

डेटाशीट और संसाधन

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