IRLML6346TRPBF vs BSS308PEH6327XTSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLML6346TRPBF بواسطة Infineon و BSS308PEH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23
BSS308PEH6327XTSA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IRLML6346TRPBF | BSS308PEH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 3.4 A (TA=25C) | -2 A (Ta) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| RDS(on) max @ VGS=2.5V | 63 mOhm | — |
| RDS(on) max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Gate Drive Capability | 2.5V logic-level | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) | 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +150C | — |
| العلبة | Micro3 / SOT-23 | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET Power MOSFET | — |
| مستوى MSL | 1 | — |
| Lead-Free Finish | Yes (PBF suffix) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) |
| نوع الترانزستور | — | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| RDS(on) Max | — | 80 mΩ at VGS = -10 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | +/-20 V |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 °C to +150 °C |
| العلبة / الحالة | — | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| عدد الدبابيس | — | 3 |
| Qualification | — | AEC-Q101 Automotive |
| Packaging | — | Tape & Reel (T/R) |
| Standard Reel Quantity | — | 3000 pcs |