IRLML6346TRPBF vs BSS308PEH6327XTSA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLML6346TRPBF بذریعہ Infineon اور BSS308PEH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23
BSS308PEH6327XTSA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRLML6346TRPBF | BSS308PEH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 3.4 A (TA=25C) | -2 A (Ta) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| RDS(on) max @ VGS=2.5V | 63 mOhm | — |
| RDS(on) max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Gate Drive Capability | 2.5V logic-level | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) | 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55C to +150C | — |
| پیکیج | Micro3 / SOT-23 | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET Power MOSFET | — |
| MSL لیول | 1 | — |
| Lead-Free Finish | Yes (PBF suffix) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| RDS(on) Max | — | 80 mΩ at VGS = -10 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | +/-20 V |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 °C to +150 °C |
| پیکیج / کیس | — | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| پنز کی تعداد | — | 3 |
| Qualification | — | AEC-Q101 Automotive |
| Packaging | — | Tape & Reel (T/R) |
| Standard Reel Quantity | — | 3000 pcs |