IRLML6346TRPBF vs BSS308PEH6327XTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLML6346TRPBF द्वारा Infineon और BSS308PEH6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23
BSS308PEH6327XTSA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRLML6346TRPBF | BSS308PEH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 3.4 A (TA=25C) | -2 A (Ta) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| RDS(on) max @ VGS=2.5V | 63 mOhm | — |
| RDS(on) max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Gate Drive Capability | 2.5V logic-level | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) | 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +150C | — |
| पैकेज | Micro3 / SOT-23 | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET Power MOSFET | — |
| MSL स्तर | 1 | — |
| Lead-Free Finish | Yes (PBF suffix) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| RDS(on) Max | — | 80 mΩ at VGS = -10 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | +/-20 V |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 °C to +150 °C |
| पैकेज / केस | — | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| पिन की संख्या | — | 3 |
| Qualification | — | AEC-Q101 Automotive |
| Packaging | — | Tape & Reel (T/R) |
| Standard Reel Quantity | — | 3000 pcs |