IRS2011STRPBF vs IR2011STRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2011STRPBF بواسطة Infineon و IR2011STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRS2011STRPBF | IR2011STRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| الوظيفة | Half-Bridge Gate Driver | — |
| Configuration | High-Side and Low-Side, Independent Channels | High-Side and Low-Side (Independent) |
| عدد المخارج | 2 | — |
| Maximum Offset Voltage (High-Side) | 200 V | — |
| Output Current (Source / Sink) | 1 A typical / 1 A typical | — |
| Propagation Delay (ton/toff) | 60 ns typical | — |
| Delay Matching | 20 ns maximum | — |
| Logic Input Compatibility | 3.3 V CMOS / LSTTL | 3.0 V CMOS or LSTTL |
| Bootstrap Supply | Integrated bootstrap diode, floating channel | — |
| Supply Voltage (VCC) | 10 V to 20 V | — |
| Negative Transient Tolerance | Yes, dV/dt immune | dV/dt immune |
| العلبة | 8-SOIC (DSO-8) | 8-SOIC (3.90 mm body width) |
| درجة حرارة التشغيل | -40 C to +125 C | -40 C to +125 C |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant (PBF suffix) | — |
| Suitable Drivers | MOSFETs and IGBTs | — |
| Number of Drivers | — | 2 (Half-Bridge) |
| Peak Source Current | — | 1 A (typical) |
| Peak Sink Current | — | 1 A (typical) |
| Gate Drive Supply Voltage (VCC) | — | 10 V to 20 V |
| Floating Supply Voltage (VBS) | — | 10 V to 20 V (operational to +200 V) |
| Propagation Delay (typ.) | — | 80 ns |
| Turn-On Rise Time (typ.) | — | 35 ns |
| Turn-Off Fall Time (typ.) | — | 20 ns |
| Offset Voltage Rating | — | 200 V |
| Lead-Free / RoHS | — | Lead-Free, RoHS Compliant |