IRS2011STRPBF vs IR2011STRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRS2011STRPBF מאת Infineon ו IR2011STRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRS2011STRPBF IR2011STRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
פונקציה Half-Bridge Gate Driver —
Configuration High-Side and Low-Side, Independent Channels High-Side and Low-Side (Independent)
מספר יציאות 2 —
Maximum Offset Voltage (High-Side) 200 V —
Output Current (Source / Sink) 1 A typical / 1 A typical —
Propagation Delay (ton/toff) 60 ns typical —
Delay Matching 20 ns maximum —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL 3.0 V CMOS or LSTTL
Bootstrap Supply Integrated bootstrap diode, floating channel —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Negative Transient Tolerance Yes, dV/dt immune dV/dt immune
מארז 8-SOIC (DSO-8) 8-SOIC (3.90 mm body width)
טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C -40 C to +125 C
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant (PBF suffix) —
Suitable Drivers MOSFETs and IGBTs —
Number of Drivers — 2 (Half-Bridge)
Peak Source Current — 1 A (typical)
Peak Sink Current — 1 A (typical)
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Supply Voltage (VBS) — 10 V to 20 V (operational to +200 V)
Propagation Delay (typ.) — 80 ns
Turn-On Rise Time (typ.) — 35 ns
Turn-Off Fall Time (typ.) — 20 ns
Offset Voltage Rating — 200 V
Lead-Free / RoHS — Lead-Free, RoHS Compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר