IRS2011STRPBF vs IR2011STRPBF 比較

詳細な並列比較: IRS2011STRPBF メーカー: Infineon および IR2011STRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRS2011STRPBF IRS2011STRPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IRS2011STRPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IRS2011STRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRS2011STRPBF IR2011STRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.55 $0.71
機能 Half-Bridge Gate Driver —
Configuration High-Side and Low-Side, Independent Channels High-Side and Low-Side (Independent)
出力数 2 —
Maximum Offset Voltage (High-Side) 200 V —
Output Current (Source / Sink) 1 A typical / 1 A typical —
Propagation Delay (ton/toff) 60 ns typical —
Delay Matching 20 ns maximum —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL 3.0 V CMOS or LSTTL
Bootstrap Supply Integrated bootstrap diode, floating channel —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Negative Transient Tolerance Yes, dV/dt immune dV/dt immune
パッケージ 8-SOIC (DSO-8) 8-SOIC (3.90 mm body width)
動作温度 -40 C to +125 C -40 C to +125 C
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant (PBF suffix) —
Suitable Drivers MOSFETs and IGBTs —
Number of Drivers — 2 (Half-Bridge)
Peak Source Current — 1 A (typical)
Peak Sink Current — 1 A (typical)
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Supply Voltage (VBS) — 10 V to 20 V (operational to +200 V)
Propagation Delay (typ.) — 80 ns
Turn-On Rise Time (typ.) — 35 ns
Turn-Off Fall Time (typ.) — 20 ns
Offset Voltage Rating — 200 V
Lead-Free / RoHS — Lead-Free, RoHS Compliant

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