IRS21867STRPBF vs IR2109SPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS21867STRPBF بواسطة Infineon و IR2109SPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS21867STRPBF IR2109SPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
البنية الطوبولوجية High-Side and Low-Side (Half-Bridge) —
Offset Voltage (High-Side, max) 600 V —
Output Current (Source/Sink, typical) 4 A / 4 A —
Supply Voltage VCC 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply VBS up to VCC + 600 V (floating) —
Input Logic Compatibility 3.3 V and 5 V CMOS / TTL 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Rise Time (typ, 1 nF load) 22 ns —
Fall Time (typ, 1 nF load) 18 ns —
Turn-On Propagation Delay (typ) 170 ns —
Turn-Off Propagation Delay (typ) 170 ns —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) Yes (VCC)
Operating Temperature Range (TJ) -40C to +150C —
العلبة 8-SOIC (SOIC-8, 8-pin SOIC N T/R) SOIC-8
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 2 —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Status Lead Free —
Channel Count 2 (1 high-side + 1 low-side) —
Input Type Non-Inverting (HIN, LIN) —
Driver Configuration — Half-Bridge
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
زمن الصعود — 200 ns
زمن السقوط — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Bootstrap Diode — Integrated
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -40 C to +150 C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر