IRS21867STRPBF vs IR2109SPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRS21867STRPBF tarafından Infineon ve IR2109SPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRS21867STRPBF IR2109SPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Ağ Yapısı High-Side and Low-Side (Half-Bridge) —
Offset Voltage (High-Side, max) 600 V —
Output Current (Source/Sink, typical) 4 A / 4 A —
Supply Voltage VCC 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply VBS up to VCC + 600 V (floating) —
Input Logic Compatibility 3.3 V and 5 V CMOS / TTL 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Rise Time (typ, 1 nF load) 22 ns —
Fall Time (typ, 1 nF load) 18 ns —
Turn-On Propagation Delay (typ) 170 ns —
Turn-Off Propagation Delay (typ) 170 ns —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) Yes (VCC)
Operating Temperature Range (TJ) -40C to +150C —
Paket 8-SOIC (SOIC-8, 8-pin SOIC N T/R) SOIC-8
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 2 —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Status Lead Free —
Channel Count 2 (1 high-side + 1 low-side) —
Input Type Non-Inverting (HIN, LIN) —
Driver Configuration — Half-Bridge
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
Artış Süresi — 200 ns
Düşüş Süresi — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Bootstrap Diode — Integrated
İşletim Jant Sıcaklığı — -40 C to +150 C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin