IRS21867STRPBF vs IR2109SPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRS21867STRPBF מאת Infineon ו IR2109SPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRS21867STRPBF IR2109SPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
טופולוגיה High-Side and Low-Side (Half-Bridge) —
Offset Voltage (High-Side, max) 600 V —
Output Current (Source/Sink, typical) 4 A / 4 A —
Supply Voltage VCC 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply VBS up to VCC + 600 V (floating) —
Input Logic Compatibility 3.3 V and 5 V CMOS / TTL 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Rise Time (typ, 1 nF load) 22 ns —
Fall Time (typ, 1 nF load) 18 ns —
Turn-On Propagation Delay (typ) 170 ns —
Turn-Off Propagation Delay (typ) 170 ns —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) Yes (VCC)
Operating Temperature Range (TJ) -40C to +150C —
מארז 8-SOIC (SOIC-8, 8-pin SOIC N T/R) SOIC-8
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL 2 —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Status Lead Free —
Channel Count 2 (1 high-side + 1 low-side) —
Input Type Non-Inverting (HIN, LIN) —
Driver Configuration — Half-Bridge
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
זמן עלייה — 200 ns
זמן ירידה — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Bootstrap Diode — Integrated
טמפרטורת צומת פעולה — -40 C to +150 C

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר