IRS21867STRPBF vs IR2109SPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRS21867STRPBF bằng Infineon và IR2109SPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IRS21867STRPBF - 600V 4A Hi/Lo Side Gate Driver SOIC-8 | Infineon
IRS21867STRPBF ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRS21867STRPBF | IR2109SPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Cấu trúc | High-Side and Low-Side (Half-Bridge) | — |
| Offset Voltage (High-Side, max) | 600 V | — |
| Output Current (Source/Sink, typical) | 4 A / 4 A | — |
| Supply Voltage VCC | 10 V to 20 V | — |
| Bootstrap Supply VBS | up to VCC + 600 V (floating) | — |
| Input Logic Compatibility | 3.3 V and 5 V CMOS / TTL | 3.3 V / 5 V CMOS / TTL |
| Rise Time (typ, 1 nF load) | 22 ns | — |
| Fall Time (typ, 1 nF load) | 18 ns | — |
| Turn-On Propagation Delay (typ) | 170 ns | — |
| Turn-Off Propagation Delay (typ) | 170 ns | — |
| Undervoltage Lockout | Yes (VCC and VBS) | Yes (VCC) |
| Operating Temperature Range (TJ) | -40C to +150C | — |
| Hộp | 8-SOIC (SOIC-8, 8-pin SOIC N T/R) | SOIC-8 |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | 2 | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free Status | Lead Free | — |
| Channel Count | 2 (1 high-side + 1 low-side) | — |
| Input Type | Non-Inverting (HIN, LIN) | — |
| Driver Configuration | — | Half-Bridge |
| Number of Drivers | — | 2 (high-side + low-side) |
| High-Side Voltage Tolerance | — | 600 V |
| Supply Voltage (VCC) | — | 10 V to 20 V |
| Source Current (typical) | — | 0.2 A |
| Sink Current (typical) | — | 0.35 A |
| Turn-On Propagation Delay | — | 150 ns |
| Turn-Off Propagation Delay | — | 150 ns |
| Thời gian tăng lên | — | 200 ns |
| Thời gian giảm dần | — | 50 ns |
| Quiescent VCC Current | — | 1 mA |
| Bootstrap Diode | — | Integrated |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -40 C to +150 C |