IRS21867STRPBF vs IR2109SPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRS21867STRPBF توسط Infineon و IR2109SPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRS21867STRPBF IR2109SPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
توپولوژی High-Side and Low-Side (Half-Bridge) —
Offset Voltage (High-Side, max) 600 V —
Output Current (Source/Sink, typical) 4 A / 4 A —
Supply Voltage VCC 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply VBS up to VCC + 600 V (floating) —
Input Logic Compatibility 3.3 V and 5 V CMOS / TTL 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Rise Time (typ, 1 nF load) 22 ns —
Fall Time (typ, 1 nF load) 18 ns —
Turn-On Propagation Delay (typ) 170 ns —
Turn-Off Propagation Delay (typ) 170 ns —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) Yes (VCC)
Operating Temperature Range (TJ) -40C to +150C —
بسته‌بندی 8-SOIC (SOIC-8, 8-pin SOIC N T/R) SOIC-8
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 2 —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Status Lead Free —
Channel Count 2 (1 high-side + 1 low-side) —
Input Type Non-Inverting (HIN, LIN) —
Driver Configuration — Half-Bridge
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
زمان صعود — 200 ns
زمان افت — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Bootstrap Diode — Integrated
دمای اتصال کاری — -40 C to +150 C

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت