IS43TR16256AL-125KBL vs K4A8G165WB-BCPB مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IS43TR16256AL-125KBL بواسطة ISSI, Integrated Silicon Solution Inc و K4A8G165WB-BCPB بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IS43TR16256AL-125KBL | K4A8G165WB-BCPB |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | SDRAM - DDR3L | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4Gbit (256M x 16) | — |
| الواجهة | Parallel | DDR4 (synchronous, double data rate) |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| جهد التغذية | 1.35V (backward compatible to 1.5V) | — |
| العلبة | 96-TWBGA (9x13mm) | 96FBGA (TFBGA) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C ~ 95°C | 0C to +85C |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | SDRAM - DDR3L | — |
| معدل البيانات | 1600 Mbps | 2133 Mbps |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (per Lisleapex listing) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Density | — | 8 Gb |
| التنظيم | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Package Shape | — | Rectangular, bottom terminal position |
| Die Generation | — | 8Gb B-die |
| Bank Groups | — | DDR4 bank-group architecture |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh specification] |