IS43TR16256AL-125KBL vs K4A8G165WB-BCPB So sánh
So sánh chi tiết song song của IS43TR16256AL-125KBL bằng ISSI, Integrated Silicon Solution Inc và K4A8G165WB-BCPB bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ Hoạt độngSamsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WB-BCPB ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IS43TR16256AL-125KBL | K4A8G165WB-BCPB |
|---|---|---|
| Thương hiệu | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | SDRAM - DDR3L | DDR4 SDRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Giao diện | Parallel | DDR4 (synchronous, double data rate) |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Điện áp cung cấp | 1.35V (backward compatible to 1.5V) | — |
| Hộp | 96-TWBGA (9x13mm) | 96FBGA (TFBGA) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ hoạt động | 0°C ~ 95°C | 0C to +85C |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | SDRAM - DDR3L | — |
| Tốc độ dữ liệu | 1600 Mbps | 2133 Mbps |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant (per Lisleapex listing) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Density | — | 8 Gb |
| Tổ chức | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Package Shape | — | Rectangular, bottom terminal position |
| Die Generation | — | 8Gb B-die |
| Bank Groups | — | DDR4 bank-group architecture |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh specification] |