IS43TR16256AL-125KBL vs K4A8G165WB-BCPB مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IS43TR16256AL-125KBL توسط ISSI, Integrated Silicon Solution Inc و K4A8G165WB-BCPB توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | IS43TR16256AL-125KBL | K4A8G165WB-BCPB |
|---|---|---|
| برند | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | SDRAM - DDR3L | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 4Gbit (256M x 16) | — |
| رابط | Parallel | DDR4 (synchronous, double data rate) |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.35V (backward compatible to 1.5V) | — |
| بسته‌بندی | 96-TWBGA (9x13mm) | 96FBGA (TFBGA) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | 0°C ~ 95°C | 0C to +85C |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | SDRAM - DDR3L | — |
| نرخ داده | 1600 Mbps | 2133 Mbps |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant (per Lisleapex listing) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Density | — | 8 Gb |
| سازمان | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Package Shape | — | Rectangular, bottom terminal position |
| Die Generation | — | 8Gb B-die |
| Bank Groups | — | DDR4 bank-group architecture |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh specification] |