IS43TR16256AL-125KBL vs K4A8G165WB-BCPB তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IS43TR16256AL-125KBL নির্দিষ্ট ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ও K4A8G165WB-BCPB নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ সক্রিয়Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WB-BCPB ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IS43TR16256AL-125KBL | K4A8G165WB-BCPB |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | SDRAM - DDR3L | DDR4 SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 4Gbit (256M x 16) | — |
| ইন্টারফেস | Parallel | DDR4 (synchronous, double data rate) |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.35V (backward compatible to 1.5V) | — |
| প্যাকেজ | 96-TWBGA (9x13mm) | 96FBGA (TFBGA) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0°C ~ 95°C | 0C to +85C |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | SDRAM - DDR3L | — |
| ডেটা রেট | 1600 Mbps | 2133 Mbps |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant (per Lisleapex listing) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Density | — | 8 Gb |
| সংগঠন | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Package Shape | — | Rectangular, bottom terminal position |
| Die Generation | — | 8Gb B-die |
| Bank Groups | — | DDR4 bank-group architecture |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh specification] |