IS43TR16256AL-125KBL vs K4A8G165WB-BCPB Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IS43TR16256AL-125KBL tarafından ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ve K4A8G165WB-BCPB tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IS43TR16256AL-125KBL | K4A8G165WB-BCPB |
|---|---|---|
| Marka | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | SDRAM - DDR3L | DDR4 SDRAM |
| Bellek Boyutu | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Arayüz | Parallel | DDR4 (synchronous, double data rate) |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Besleme Gerilimi | 1.35V (backward compatible to 1.5V) | — |
| Paket | 96-TWBGA (9x13mm) | 96FBGA (TFBGA) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | 0°C ~ 95°C | 0C to +85C |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | SDRAM - DDR3L | — |
| Veri Hızı | 1600 Mbps | 2133 Mbps |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant (per Lisleapex listing) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Density | — | 8 Gb |
| Organizasyon | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Package Shape | — | Rectangular, bottom terminal position |
| Die Generation | — | 8Gb B-die |
| Bank Groups | — | DDR4 bank-group architecture |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh specification] |