IS43TR16256AL-125KBL vs K4A8G165WB-BCPB موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IS43TR16256AL-125KBL بذریعہ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc اور K4A8G165WB-BCPB بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IS43TR16256AL-125KBL K4A8G165WB-BCPB
برانڈ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ SDRAM - DDR3L DDR4 SDRAM
میموری سائز 4Gbit (256M x 16) —
انٹرفیس Parallel DDR4 (synchronous, double data rate)
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 20 ns —
سپلائی وولٹیج 1.35V (backward compatible to 1.5V) —
پیکیج 96-TWBGA (9x13mm) 96FBGA (TFBGA)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت 0°C ~ 95°C 0C to +85C
Memory Format DRAM —
Technology SDRAM - DDR3L —
ڈیٹا ریٹ 1600 Mbps 2133 Mbps
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (per Lisleapex listing)
Lead-Free Yes —
Number of Terminals 96 96
Density — 8 Gb
تنظیم — 512M x 16
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Package Shape — Rectangular, bottom terminal position
Die Generation — 8Gb B-die
Bank Groups — DDR4 bank-group architecture
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh specification]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں