K4A8G085WB-BCPB vs K4A8G085WC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G085WB-BCPB بواسطة Samsung Electronics و K4A8G085WC بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics
K4A8G085WC ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G085WB-BCPB | K4A8G085WC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | $4.10 | — |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2 V |
| Max Clock Frequency | 1066 MHz | — |
| Max Access Time | 0.18 ns | — |
| Max Standby Current | 0.016 mA | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Technology | CMOS, 8Gb B-die | — |
| العلبة | 78-ball FBGA (BGA78 / TFBGA), rectangular, 11 mm length | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| Number of Terminals | 78 | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | — |
| الواجهة | DDR4 SDRAM parallel interface | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Operating Temperature Grade | Commercial (0C to 85C) | — |
| Density | — | 8 Gbit |
| التنظيم | — | 1G x 8 |
| Speed | — | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) |
| Supply Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz (1333.333 GHz nominal, per web data) |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BITD) | — | -40 C to +95 C |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BCTD) | — | 0 C to +95 C |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |