K4A8G085WB-BCPB vs K4A8G085WC So sánh

So sánh chi tiết song song của K4A8G085WB-BCPB bằng Samsung Electronics và K4A8G085WC bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 1.2V | Samsung

K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 1.2V | Samsung

K4A8G085WB-BCPB ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4A8G085WC K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics

K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics

K4A8G085WC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WC
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) $4,10 —
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM (volatile DRAM) DDR4 SDRAM
Kích thước bộ nhớ 8 Gb —
Memory Organization 1G x 8 —
Điện áp cung cấp 1.2 V 1.2 V
Max Clock Frequency 1066 MHz —
Max Access Time 0.18 ns —
Max Standby Current 0.016 mA —
Refresh Cycles 8192 —
Technology CMOS, 8Gb B-die —
Hộp 78-ball FBGA (BGA78 / TFBGA), rectangular, 11 mm length 78-ball FBGA (78FBGA)
Number of Terminals 78 —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động 0C to +85C —
Giao diện DDR4 SDRAM parallel interface —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Operating Temperature Grade Commercial (0C to 85C) —
Density — 8 Gbit
Tổ chức — 1G x 8
Speed — 2666 Mbps/pin (DDR4-2666)
Supply Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V
Clock Frequency — 1333 MHz (1333.333 GHz nominal, per web data)
Operating Temperature (K4A8G085WC-BITD) — -40 C to +95 C
Operating Temperature (K4A8G085WC-BCTD) — 0 C to +95 C
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
Data Mask (DM) — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá