K4A8G085WB-BICR vs K4A8G085WB-BITD مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G085WB-BICR بواسطة Samsung Electronics و K4A8G085WB-BITD بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G085WB-BICR | K4A8G085WB-BITD |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| التنظيم | 1G x 8 | 1G x 8 |
| معدل البيانات | 2400 Mbps | 2666 Mbps |
| جهد التغذية | 1.2 V (VDD/VDDQ) | 1.2 V |
| Number of Banks | 16 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| العلبة | 78-ball FBGA | 78FBGA |
| عدد الأطراف | 78 | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | Industrial (I-grade) | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] | — |
| Die / Process | Samsung 8Gb B-die DDR4 | — |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Refresh Management | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported | — |
| درجة حرارة التشغيل | — | -40°C to +95°C |
| عدد الدبابيس | — | 78 |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Row Cycle Time (tRC) | — | [DATA_NEEDED: tRC] |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | — | [DATA_NEEDED: tRFC] |
| الواجهة | — | Parallel |