K4A8G085WB-BICR vs K4A8G085WB-BITD Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G085WB-BICR tarafından Samsung Electronics ve K4A8G085WB-BITD tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4A8G085WB-BICR | K4A8G085WB-BITD |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organizasyon | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Veri Hızı | 2400 Mbps | 2666 Mbps |
| Besleme Gerilimi | 1.2 V (VDD/VDDQ) | 1.2 V |
| Number of Banks | 16 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Paket | 78-ball FBGA | 78FBGA |
| Pin Sayısı | 78 | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | Industrial (I-grade) | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] | — |
| Die / Process | Samsung 8Gb B-die DDR4 | — |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Refresh Management | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported | — |
| İşletim Sıcaklığı | — | -40°C to +95°C |
| Pin Sayısı | — | 78 |
| CAS Gecikme | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Row Cycle Time (tRC) | — | [DATA_NEEDED: tRC] |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | — | [DATA_NEEDED: tRFC] |
| Arayüz | — | Parallel |