K4A8G085WB-BICR vs K4A8G085WB-BITD השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G085WB-BICR מאת Samsung Electronics ו K4A8G085WB-BITD מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G085WB-BICR | K4A8G085WB-BITD |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| ארגון | 1G x 8 | 1G x 8 |
| קצב נתונים | 2400 Mbps | 2666 Mbps |
| מתח אספקה | 1.2 V (VDD/VDDQ) | 1.2 V |
| Number of Banks | 16 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| מארז | 78-ball FBGA | 78FBGA |
| מספר פינים | 78 | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | Industrial (I-grade) | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] | — |
| Die / Process | Samsung 8Gb B-die DDR4 | — |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Refresh Management | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported | — |
| טמפרטורת פעולה | — | -40°C to +95°C |
| מספר פינים | — | 78 |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Row Cycle Time (tRC) | — | [DATA_NEEDED: tRC] |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | — | [DATA_NEEDED: tRFC] |
| ממשק | — | Parallel |