K4A8G085WB-BICR vs K4A8G085WB-BITD موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WB-BICR بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G085WB-BITD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BITD K4A8G085WB-BITD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BITD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BITD ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BITD
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
تنظیم 1G x 8 1G x 8
ڈیٹا ریٹ 2400 Mbps 2666 Mbps
سپلائی وولٹیج 1.2 V (VDD/VDDQ) 1.2 V
Number of Banks 16 —
Refresh Cycles 8192 —
پیکیج 78-ball FBGA 78FBGA
پن کی تعداد 78 —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Industrial (I-grade) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] —
Die / Process Samsung 8Gb B-die DDR4 —
Speed Grade DDR4-2400 (PC4-19200) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Refresh Management Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported —
آپریٹنگ درجہ حرارت — -40°C to +95°C
پنز کی تعداد — 78
CAS لیٹنسی — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Row Cycle Time (tRC) — [DATA_NEEDED: tRC]
Refresh Cycle Time (tRFC) — [DATA_NEEDED: tRFC]
انٹرفیس — Parallel

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں