K4A8G085WB-BICR vs K4A8G085WB-BITD مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G085WB-BICR توسط Samsung Electronics و K4A8G085WB-BITD توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G085WB-BICR | K4A8G085WB-BITD |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| سازمان | 1G x 8 | 1G x 8 |
| نرخ داده | 2400 Mbps | 2666 Mbps |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V (VDD/VDDQ) | 1.2 V |
| Number of Banks | 16 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| بسته‌بندی | 78-ball FBGA | 78FBGA |
| تعداد پایه | 78 | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | Industrial (I-grade) | — |
| محدوده دمای کاری | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] | — |
| Die / Process | Samsung 8Gb B-die DDR4 | — |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Refresh Management | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported | — |
| دمای کاری | — | -40°C to +95°C |
| تعداد پین‌ها | — | 78 |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Row Cycle Time (tRC) | — | [DATA_NEEDED: tRC] |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | — | [DATA_NEEDED: tRFC] |
| رابط | — | Parallel |