K4A8G085WC-BCPB vs K4A8G085WC-BIWE مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G085WC-BCPB بواسطة Samsung Electronics و K4A8G085WC-BIWE بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCPB ✗ انتهى عمره الإنتاجي
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G085WC-BCPB | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | DRAM | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نهاية العمر الإنتاجي | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| التنظيم | 1G x 8 | 1G x 8 |
| معدل البيانات | 2133 Mbps | 3200 Mbps |
| جهد التغذية | 1.2 V | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0 C to +85 C | — |
| العلبة | 78FBGA | 78-FBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Maximum Seated Height | 1.2 mm | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | DDR4-2133 | — |
| الميزات | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] | Auto-refresh, self-refresh |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | 22 (CL22) |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Die Revision | [DATA_NEEDED: die revision] | — |
| Standard Package Quantity | [DATA_NEEDED: standard package quantity] | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -40°C to +95°C |
| الواجهة | — | POD-12 |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Lead-Free | — | Yes |