K4A8G085WC-BCPB vs K4A8G085WC-BIWE موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WC-BCPB بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G085WC-BIWE بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB ✗ اختتامِ زندگی
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BIWE K4A8G085WC-BIWE - 8Gb DDR4-3200 1Gx8 DRAM | Samsung

K4A8G085WC-BIWE - 8Gb DDR4-3200 1Gx8 DRAM | Samsung

K4A8G085WC-BIWE ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G085WC-BCPB K4A8G085WC-BIWE
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ DRAM Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت اختتامِ زندگی فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
تنظیم 1G x 8 1G x 8
ڈیٹا ریٹ 2133 Mbps 3200 Mbps
سپلائی وولٹیج 1.2 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت 0 C to +85 C —
پیکیج 78FBGA 78-FBGA
Number of Terminals 78 —
Maximum Seated Height 1.2 mm —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Speed Grade DDR4-2133 —
خصوصیات Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] Auto-refresh, self-refresh
CAS لیٹنسی [DATA_NEEDED: CAS latency] 22 (CL22)
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Die Revision [DATA_NEEDED: die revision] —
Standard Package Quantity [DATA_NEEDED: standard package quantity] —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -40°C to +95°C
انٹرفیس — POD-12
Burst Length — 8 (BL8), 4 (BC4)
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں