K4A8G085WC-BCPB vs K4A8G085WC-BIWE השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G085WC-BCPB מאת Samsung Electronics ו K4A8G085WC-BIWE מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCPB ✗ סוף ייצור
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G085WC-BCPB | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | DRAM | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | סוף חיים | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| ארגון | 1G x 8 | 1G x 8 |
| קצב נתונים | 2133 Mbps | 3200 Mbps |
| מתח אספקה | 1.2 V | — |
| טמפרטורת פעולה | 0 C to +85 C | — |
| מארז | 78FBGA | 78-FBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Maximum Seated Height | 1.2 mm | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | DDR4-2133 | — |
| תכונות | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] | Auto-refresh, self-refresh |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | 22 (CL22) |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Die Revision | [DATA_NEEDED: die revision] | — |
| Standard Package Quantity | [DATA_NEEDED: standard package quantity] | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -40°C to +95°C |
| ממשק | — | POD-12 |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Lead-Free | — | Yes |