K4A8G085WC-BCPB vs K4A8G085WC-BIWE So sánh
So sánh chi tiết song song của K4A8G085WC-BCPB bằng Samsung Electronics và K4A8G085WC-BIWE bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCPB ✗ Cuối đời
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4A8G085WC-BCPB | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | DRAM | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Cuối chu kỳ cuộc sống | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Tổ chức | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Tốc độ dữ liệu | 2133 Mbps | 3200 Mbps |
| Điện áp cung cấp | 1.2 V | — |
| Nhiệt độ hoạt động | 0 C to +85 C | — |
| Hộp | 78FBGA | 78-FBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Maximum Seated Height | 1.2 mm | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | DDR4-2133 | — |
| Tính năng | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] | Auto-refresh, self-refresh |
| Latency CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | 22 (CL22) |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Die Revision | [DATA_NEEDED: die revision] | — |
| Standard Package Quantity | [DATA_NEEDED: standard package quantity] | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -40°C to +95°C |
| Giao diện | — | POD-12 |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Lead-Free | — | Yes |