K4A8G085WC-BCPB vs K4A8G085WC-BIWE তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G085WC-BCPB নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A8G085WC-BIWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB ✗ জীবনকালের সমাপ্তি
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BIWE K4A8G085WC-BIWE - 8Gb DDR4-3200 1Gx8 DRAM | Samsung

K4A8G085WC-BIWE - 8Gb DDR4-3200 1Gx8 DRAM | Samsung

K4A8G085WC-BIWE ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K4A8G085WC-BCPB K4A8G085WC-BIWE
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Samsung Electronics
ক্যাটাগরি DRAM Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস উৎপাদন শেষ সক্রিয়
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
সংগঠন 1G x 8 1G x 8
ডেটা রেট 2133 Mbps 3200 Mbps
সাপ্লাই ভোল্টেজ 1.2 V —
অপারেটিং তাপমাত্রা 0 C to +85 C —
প্যাকেজ 78FBGA 78-FBGA
Number of Terminals 78 —
Maximum Seated Height 1.2 mm —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Speed Grade DDR4-2133 —
বৈশিষ্ট্য Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] Auto-refresh, self-refresh
CAS লেটেন্সি [DATA_NEEDED: CAS latency] 22 (CL22)
RoHS স্ট্যাটাস [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Die Revision [DATA_NEEDED: die revision] —
Standard Package Quantity [DATA_NEEDED: standard package quantity] —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -40°C to +95°C
ইন্টারফেস — POD-12
Burst Length — 8 (BL8), 4 (BC4)
Lead-Free — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট