K4A8G085WC-BCRC vs K4A8G085WC-BIWE مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G085WC-BCRC بواسطة Samsung Electronics و K4A8G085WC-BIWE بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G085WC-BCRC | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | DRAM | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| التنظيم | 1G x 8 | 1G x 8 |
| جهد التغذية | 1.2 V | — |
| معدل البيانات | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 3200 Mbps |
| العلبة | 78-ball FBGA (TFBGA) | 78-FBGA |
| Terminal Pitch | 0.8 mm | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +95C | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Refresh | Auto/Self refresh | Auto-refresh, self-refresh |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -40°C to +95°C |
| الواجهة | — | POD-12 |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| زمن الوصول CAS | — | 22 (CL22) |
| Lead-Free | — | Yes |