K4A8G085WC-BCRC vs K4A8G085WC-BIWE Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G085WC-BCRC tarafından Samsung Electronics ve K4A8G085WC-BIWE tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4A8G085WC-BCRC | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | DRAM | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| Organizasyon | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Besleme Gerilimi | 1.2 V | — |
| Veri Hızı | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 3200 Mbps |
| Paket | 78-ball FBGA (TFBGA) | 78-FBGA |
| Terminal Pitch | 0.8 mm | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | 0C to +95C | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Refresh | Auto/Self refresh | Auto-refresh, self-refresh |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -40°C to +95°C |
| Arayüz | — | POD-12 |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| CAS Gecikme | — | 22 (CL22) |
| Lead-Free | — | Yes |