K4A8G085WC-BCRC vs K4A8G085WC-BIWE तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G085WC-BCRC द्वारा Samsung Electronics और K4A8G085WC-BIWE द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G085WC-BCRC | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | DRAM | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| संगठन | 1G x 8 | 1G x 8 |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | — |
| डेटा दर | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 3200 Mbps |
| पैकेज | 78-ball FBGA (TFBGA) | 78-FBGA |
| Terminal Pitch | 0.8 mm | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +95C | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Refresh | Auto/Self refresh | Auto-refresh, self-refresh |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -40°C to +95°C |
| इंटरफ़ेस | — | POD-12 |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| CAS लेटेंसी | — | 22 (CL22) |
| Lead-Free | — | Yes |