K4A8G085WC-BCRC vs K4A8G085WC-BIWE مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G085WC-BCRC توسط Samsung Electronics و K4A8G085WC-BIWE توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G085WC-BCRC | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | DRAM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| سازمان | 1G x 8 | 1G x 8 |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | — |
| نرخ داده | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 3200 Mbps |
| بسته‌بندی | 78-ball FBGA (TFBGA) | 78-FBGA |
| Terminal Pitch | 0.8 mm | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | 0C to +95C | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Refresh | Auto/Self refresh | Auto-refresh, self-refresh |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| محدوده دمای کاری | — | -40°C to +95°C |
| رابط | — | POD-12 |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| تأخیر CAS | — | 22 (CL22) |
| Lead-Free | — | Yes |