K4A8G085WC-BCRC vs K4A8G085WC-BIWE তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G085WC-BCRC নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A8G085WC-BIWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCRC K4A8G085WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WC-BCRC ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BIWE K4A8G085WC-BIWE - 8Gb DDR4-3200 1Gx8 DRAM | Samsung

K4A8G085WC-BIWE - 8Gb DDR4-3200 1Gx8 DRAM | Samsung

K4A8G085WC-BIWE ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K4A8G085WC-BCRC K4A8G085WC-BIWE
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Samsung Electronics
ক্যাটাগরি DRAM Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
সংগঠন 1G x 8 1G x 8
সাপ্লাই ভোল্টেজ 1.2 V —
ডেটা রেট 2400 Mbps (DDR4-2400) 3200 Mbps
প্যাকেজ 78-ball FBGA (TFBGA) 78-FBGA
Terminal Pitch 0.8 mm —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রা 0C to +95C —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
Dynamic On-Die Termination Yes —
Data Mask Function Yes —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Refresh Auto/Self refresh Auto-refresh, self-refresh
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -40°C to +95°C
ইন্টারফেস — POD-12
Burst Length — 8 (BL8), 4 (BC4)
CAS লেটেন্সি — 22 (CL22)
Lead-Free — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট