K4A8G085WC-BCRC vs K4A8G085WC-BIWE Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4A8G085WC-BCRC sa pamamagitan ng Samsung Electronics at K4A8G085WC-BIWE sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4A8G085WC-BCRC | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorya | DRAM | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| Organisasyon | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Volte ng Pagbibigay | 1.2 V | — |
| Rate ng Data | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 3200 Mbps |
| Packhaging | 78-ball FBGA (TFBGA) | 78-FBGA |
| Terminal Pitch | 0.8 mm | — |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature na Operasyon | 0C to +95C | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Tindminan RoHS | Compliant | Compliant |
| Refresh | Auto/Self refresh | Auto-refresh, self-refresh |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | — | -40°C to +95°C |
| Interface | — | POD-12 |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Latensya ng CAS | — | 22 (CL22) |
| Lead-Free | — | Yes |